E., P., L., R., L., D.G., G., C., Evangelisti, F. (1998). Spectroscopic ellipsometric study of the size evolution of Ge islands grown on Si(100). JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 83, 5840.

Spectroscopic ellipsometric study of the size evolution of Ge islands grown on Si(100)

EVANGELISTI, Florestano
1998-01-01

1998
E., P., L., R., L., D.G., G., C., Evangelisti, F. (1998). Spectroscopic ellipsometric study of the size evolution of Ge islands grown on Si(100). JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 83, 5840.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/121524
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact