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Polycrystalline NaF films were grown by e-beam assisted physical evaporation on amorphous silica substrates kept, during film growth, at constant temperatures ranging from 40 degrees C to 400 degrees C. The structural characterization of the films was performed by X-ray diffraction and by scanning electron microscopy. Irradiating the films with a 15 keV electron beam induced the formation of F and F-aggregate colour centres stable at room temperature. Absorption and photoemission measurements were performed and indicated a dependence of coloration on the deposition conditions.
Cremona, M., Sotero, A.p., Nunes, R.a., Mauricio, M., Docarmo, L., Montereali, R.m., et al. (1995). NaF films: Growth properties and electron beam induced defects. RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 136(1-4), 163-167 [10.1080/10420159508218814].
NaF films: Growth properties and electron beam induced defects
Polycrystalline NaF films were grown by e-beam assisted physical evaporation on amorphous silica substrates kept, during film growth, at constant temperatures ranging from 40 degrees C to 400 degrees C. The structural characterization of the films was performed by X-ray diffraction and by scanning electron microscopy. Irradiating the films with a 15 keV electron beam induced the formation of F and F-aggregate colour centres stable at room temperature. Absorption and photoemission measurements were performed and indicated a dependence of coloration on the deposition conditions.
Cremona, M., Sotero, A.p., Nunes, R.a., Mauricio, M., Docarmo, L., Montereali, R.m., et al. (1995). NaF films: Growth properties and electron beam induced defects. RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 136(1-4), 163-167 [10.1080/10420159508218814].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/143539
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
