D'Acapito, F., Boscherini, F., Mobilio, S., Rizzi, A., Lantier, R. (2002). Epitaxy and strain in the growth of GaN on AlN: A polarized x-ray absorption spectroscopy study. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 66(20) [10.1103/PhysRevB.66.205411].
Epitaxy and strain in the growth of GaN on AlN: A polarized x-ray absorption spectroscopy study
MOBILIO, Settimio;
2002-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.