Boscherini, F., Lantier, R., Rizzi, A., D'Acapito, F., Mobilio, S. (1999). Evidence for relaxed and high-quality growth of GaN on SiC(0001) (vol 74, pg 3308, 1999). APPLIED PHYSICS LETTERS, 75(2), 304-304 [10.1063/1.124355].
Evidence for relaxed and high-quality growth of GaN on SiC(0001) (vol 74, pg 3308, 1999)
MOBILIO, Settimio
1999-01-01
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