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The local structure around Er3+ ions in Er+O doped silicon has been investigated by extended x-ray absorption spectroscopy. By comparing samples obtained by molecular-beam epitaxy and ion implantation a common structure comes out. Er is linked to five or six O atoms at around 2.24 Angstrom and there is a well defined Er-O-Si bond angle of 135degrees and an Er-Si separation of 3.6 Angstrom. The Er-Si distance is appreciably longer than that found in the more stable structures from ab-initio calculations and a discussion on the possible site for Er is presented.
D'Acapito, F., Mobilio, S., Scalese, S., Terrasi, A., Franz, G., Priolo, ., et al. (2004). Structure of Er-O complexes in crystalline Si. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 69, 153310-1-153310-4 [10.1103/PhysRevB.69.153310].
Structure of Er-O complexes in crystalline Si
D'ACAPITO, F.;MOBILIO, Settimio;SCALESE, S.;TERRASI, A.;FRANZ, G.;PRIOLO;MOBILIO S.
2004-01-01
Abstract
The local structure around Er3+ ions in Er+O doped silicon has been investigated by extended x-ray absorption spectroscopy. By comparing samples obtained by molecular-beam epitaxy and ion implantation a common structure comes out. Er is linked to five or six O atoms at around 2.24 Angstrom and there is a well defined Er-O-Si bond angle of 135degrees and an Er-Si separation of 3.6 Angstrom. The Er-Si distance is appreciably longer than that found in the more stable structures from ab-initio calculations and a discussion on the possible site for Er is presented.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
