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Herpers, A., Lenser, C., Park, C., Offi, F., Borgatti, F., Panaccione, G., et al. (2014). Spectroscopic Proof of the Correlation between Redox-State and Charge-Carrier Transport at the Interface of Resistively Switching Ti/PCMO Devices. ADVANCED MATERIALS, 26(17), 2730-2735 [10.1002/adma.201304054].
Spectroscopic Proof of the Correlation between Redox-State and Charge-Carrier Transport at the Interface of Resistively Switching Ti/PCMO Devices
Herpers A;Lenser C;Park C;OFFI, FRANCESCO;Borgatti F;Panaccione G;Menzel S;Waser R;Dittmann R.
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Citazioni
ND
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
