Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishNovel Ge on silicon pin photodetectors have been fabricated and characterised. The devices, designed by considering the defects at the Ge/Si interface, exhibit overall performances that are among the best available, with short-circuit responsivities as high as 0.4A/W at 1.3 mum, dark currents below 20mA/cm(2) and response times shorter than 800ps.
| Titolo: | Germanium on silicon pin photodiodes for the near infrared |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2000 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Germanium on silicon pin photodiodes for the near infrared / Masini G; Colace L; Assanto G; Luan HC; Kimerling LC. - In: ELECTRONICS LETTERS. - ISSN 0013-5194. - 36:25(2000), pp. 2095-2096. |
| Abstract: | Novel Ge on silicon pin photodetectors have been fabricated and characterised. The devices, designed by considering the defects at the Ge/Si interface, exhibit overall performances that are among the best available, with short-circuit responsivities as high as 0.4A/W at 1.3 mum, dark currents below 20mA/cm(2) and response times shorter than 800ps. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/120436 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11590/120436
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