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Using a low-temperature technology for polycrystalline Ge deposition, we report on the monolithic integration of an array of near-infrared Ge photodiodes on Si complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) electronics. The integrated microsystem consists of a linear array of 120x120 mum(2) pixels, an analog CMOS multiplexer and a transimpedance amplifier. The resulting photoresponse covers the near-infrared up to 1.6 mum. (C) 2002 American Institute of Physics.
Masini, G., Cencelli, V., Colace, L., De Notaristefani, F., Assanto, G. (2002). Monolithic integration of near-infrared Ge photodetectors with Si complementary metal-oxide-semiconductor readout electronics. APPLIED PHYSICS LETTERS, 80(18), 3268-3270 [10.1063/1.1477267].
Monolithic integration of near-infrared Ge photodetectors with Si complementary metal-oxide-semiconductor readout electronics
Using a low-temperature technology for polycrystalline Ge deposition, we report on the monolithic integration of an array of near-infrared Ge photodiodes on Si complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) electronics. The integrated microsystem consists of a linear array of 120x120 mum(2) pixels, an analog CMOS multiplexer and a transimpedance amplifier. The resulting photoresponse covers the near-infrared up to 1.6 mum. (C) 2002 American Institute of Physics.
Masini, G., Cencelli, V., Colace, L., De Notaristefani, F., Assanto, G. (2002). Monolithic integration of near-infrared Ge photodetectors with Si complementary metal-oxide-semiconductor readout electronics. APPLIED PHYSICS LETTERS, 80(18), 3268-3270 [10.1063/1.1477267].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/120673
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
