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The electronic and geometric structures of poly [3-(4-octylphenyl)thiophene] have been studied by X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy (XPS and UPS, respectively). Thermochromic effects, and new charge induced states generated by potassium doping, have been observed by direct UPS measurements. The experimental results are in very good agreement with the results of theoretical quantum chemical calculations performed with the Austin Model 1 semi-empirical model and the valence-effective Hamiltonian pseudo-potential model.
Xing, K.z., Fahlman, M., Berggren, M., Ingänäs, O., Andersson, M.r., Boman, M., et al. (1996). The electronic and geometric structures of neutral and potassium-doped poly[3-(4-octylphenyl)thiophene] studied by photoelectron spectroscopy. SYNTHETIC METALS, 76, 263-267 [10.1016/0379-6779(95)03467-X].
The electronic and geometric structures of neutral and potassium-doped poly[3-(4-octylphenyl)thiophene] studied by photoelectron spectroscopy
The electronic and geometric structures of poly [3-(4-octylphenyl)thiophene] have been studied by X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy (XPS and UPS, respectively). Thermochromic effects, and new charge induced states generated by potassium doping, have been observed by direct UPS measurements. The experimental results are in very good agreement with the results of theoretical quantum chemical calculations performed with the Austin Model 1 semi-empirical model and the valence-effective Hamiltonian pseudo-potential model.
Xing, K.z., Fahlman, M., Berggren, M., Ingänäs, O., Andersson, M.r., Boman, M., et al. (1996). The electronic and geometric structures of neutral and potassium-doped poly[3-(4-octylphenyl)thiophene] studied by photoelectron spectroscopy. SYNTHETIC METALS, 76, 263-267 [10.1016/0379-6779(95)03467-X].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/121196
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
