Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge

Gunnella, R.; Morresi, L.; Pinto, N.; Di Cicco, A.; Ottaviano, L.; Passacantando, M.; Verna, Adriano; Impellizzeri, G.; Irrera, A.; D’Acapito, F.

doi:10.1088/0953-8984/22/21/216006

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Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge / Gunnella, R.; Morresi, L.; Pinto, N.; Di Cicco, A.; Ottaviano, L.; Passacantando, M.; Verna, A.; Impellizzeri, G.; Irrera, A.; d’Acapito, F.. - In: JOURNAL OF PHYSICS. CONDENSED MATTER. - ISSN 0953-8984. - 22:21(2010).

Titolo:	Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge
Autori:	Gunnella, R. Morresi, L. Pinto, N. Di Cicco, A. Ottaviano, L. Passacantando, M. VERNA, ADRIANO Impellizzeri, G. Irrera, A. d’Acapito, F. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2010
Rivista:	JOURNAL OF PHYSICS. CONDENSED MATTER
Handle:	http://hdl.handle.net/11590/123080
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/11590/123080

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