Boscherini, F., Lantier, R., Rizzi, A., D'Acapito, F., Mobilio, S. (1999). Evidence for relaxed and high-quality growth of GaN on SiC(0001). APPLIED PHYSICS LETTERS, 74(22), 3308-3310 [10.1063/1.123327].

Evidence for relaxed and high-quality growth of GaN on SiC(0001)

MOBILIO, Settimio
1999-01-01

1999
Boscherini, F., Lantier, R., Rizzi, A., D'Acapito, F., Mobilio, S. (1999). Evidence for relaxed and high-quality growth of GaN on SiC(0001). APPLIED PHYSICS LETTERS, 74(22), 3308-3310 [10.1063/1.123327].
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