Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishHydrogenated carbon-silicon alloys with carbon fraction X(C) between 0.2 and 0.8 have been deposited and characterized. For X(C) less-than-or-equal-to 0.5 it is shown that Si/SiC phases whose electronic properties can be optimized by using an H-2 dilution higher than 90% and a substrate temperature T(d) almost-equal-to 300-degrees-C are preferentially deposited. For X(C) > 0.5 the deposited material contains polymer-like phases which are responsible for high optical transparency and poor electronic properties.
| Titolo: | STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRONIC-PROPERTIES OF WIDE-BAND GAP AMORPHOUS-CARBON SILICON ALLOYS |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 1993 |
| Rivista: | |
| Abstract: | Hydrogenated carbon-silicon alloys with carbon fraction X(C) between 0.2 and 0.8 have been deposited and characterized. For X(C) less-than-or-equal-to 0.5 it is shown that Si/SiC phases whose electronic properties can be optimized by using an H-2 dilution higher than 90% and a substrate temperature T(d) almost-equal-to 300-degrees-C are preferentially deposited. For X(C) > 0.5 the deposited material contains polymer-like phases which are responsible for high optical transparency and poor electronic properties. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/131515 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/131515
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