DOUBLE-ELECTRON EXCITATION AT THE SI K-EDGE OF AMORPHOUS-SILICON

Filipponi, A; Evangelisti, F; Bernieri, E; Mobilio, Settimio

doi:10.1051/jphyscol:19879173

Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo

La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.

DOUBLE-ELECTRON EXCITATION AT THE SI K-EDGE OF AMORPHOUS-SILICON / FILIPPONI A; EVANGELISTI F; BERNIERI E; MOBILIO S. - In: JOURNAL DE PHYSIQUE. - ISSN 0302-0738. - 48:C-9(1987), pp. 961-964.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11590/132368

Titolo:	DOUBLE-ELECTRON EXCITATION AT THE SI K-EDGE OF AMORPHOUS-SILICON
Autori:	FILIPPONI A EVANGELISTI F BERNIERI E MOBILIO, Settimio mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1987
Rivista:	JOURNAL DE PHYSIQUE
Handle:	http://hdl.handle.net/11590/132368
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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