Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe demonstrate some basic all-optical (electrically unbiased) logic gates in azobenzene liquid crystalline cells, exploiting their large nonlinearity for light localization and the trans-cis photoisomerization for all-optical external control. Spatial solitons were excited at microwatt power levels at 632.8 nm, whereas gating and switching were achieved with milliwatt beams at 409 mn.
Serak SV, Tabiryan NV, Peccianti M, & Assanto G (2006). Spatial soliton all-optical logic gates RID F-7127-2011. IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 18(9-12), 1287-1289 [10.1109/LPT.2006.872318].
| Titolo: | Spatial soliton all-optical logic gates RID F-7127-2011 | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2006 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Serak SV, Tabiryan NV, Peccianti M, & Assanto G (2006). Spatial soliton all-optical logic gates RID F-7127-2011. IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 18(9-12), 1287-1289 [10.1109/LPT.2006.872318]. | |
| Abstract: | We demonstrate some basic all-optical (electrically unbiased) logic gates in azobenzene liquid crystalline cells, exploiting their large nonlinearity for light localization and the trans-cis photoisomerization for all-optical external control. Spatial solitons were excited at microwatt power levels at 632.8 nm, whereas gating and switching were achieved with milliwatt beams at 409 mn. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/133308 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/133308
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