Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe have applied atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy to the study of SiGe intermixing in Ge/Si(100) self-assembled islands. We have quantified the Ge/Si alloying as a function of the deposition temperature in the 500-850 degreesC range. The Si content inside the islands varies from 0% at 550 degreesC up to 72% at 850 degreesC. As a consequence of the reduction of the effective mismatch due to the observed SiGe intermixing, the critical base width for island nucleation increases from 25 nm for T-dep< 600 degreesC up to 270 nm for T-dep=850 degreesC. (C) 2001 American Institute of Physics.
Capellini G, De Seta M, & Evangelisti F (2001). SiGe intermixing in Ge/Si(100) islands. APPLIED PHYSICS LETTERS, 78(3), 303-305 [10.1063/1.1339263].
| Titolo: | SiGe intermixing in Ge/Si(100) islands | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2001 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Capellini G, De Seta M, & Evangelisti F (2001). SiGe intermixing in Ge/Si(100) islands. APPLIED PHYSICS LETTERS, 78(3), 303-305 [10.1063/1.1339263]. | |
| Abstract: | We have applied atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy to the study of SiGe intermixing in Ge/Si(100) self-assembled islands. We have quantified the Ge/Si alloying as a function of the deposition temperature in the 500-850 degreesC range. The Si content inside the islands varies from 0% at 550 degreesC up to 72% at 850 degreesC. As a consequence of the reduction of the effective mismatch due to the observed SiGe intermixing, the critical base width for island nucleation increases from 25 nm for T-dep< 600 degreesC up to 270 nm for T-dep=850 degreesC. (C) 2001 American Institute of Physics. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/133347 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/133347
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