Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
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EnglishWe have applied atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy to the study of SiGe intermixing in Ge/Si(100) self-assembled islands. We have quantified the Ge/Si alloying as a function of the deposition temperature in the 500-850 degreesC range. The Si content inside the islands varies from 0% at 550 degreesC up to 72% at 850 degreesC. As a consequence of the reduction of the effective mismatch due to the observed SiGe intermixing, the critical base width for island nucleation increases from 25 nm for T-dep< 600 degreesC up to 270 nm for T-dep=850 degreesC. (C) 2001 American Institute of Physics.
| Titolo: | SiGe intermixing in Ge/Si(100) islands |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2001 |
| Rivista: | |
| Citazione: | SiGe intermixing in Ge/Si(100) islands / Capellini G; De Seta M; Evangelisti F. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 78:3(2001), pp. 303-305. |
| Abstract: | We have applied atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy to the study of SiGe intermixing in Ge/Si(100) self-assembled islands. We have quantified the Ge/Si alloying as a function of the deposition temperature in the 500-850 degreesC range. The Si content inside the islands varies from 0% at 550 degreesC up to 72% at 850 degreesC. As a consequence of the reduction of the effective mismatch due to the observed SiGe intermixing, the critical base width for island nucleation increases from 25 nm for T-dep< 600 degreesC up to 270 nm for T-dep=850 degreesC. (C) 2001 American Institute of Physics. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/133347 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/133347
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