Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishThe authors demonstrate a two-dimensional array of Si-integrated photodetectors equipped with readout electronics and operating in the near infrared. The chip is realized in polycrystalline Ge on a silicon complementary metal oxide semiconductor circuitry and includes 512 pixels, 64 analog to digital converters, dark current cancellation, and test/calibration facilities. They describe its design, fabrication, characterization, and operation as a near-infrared image sensor.
Colace L, Masini G, Cozza S, Assanto G, DeNotaristefani F, & Cencelli V (2007). Near-infrared camera in polycrystalline germanium integrated on complementary-metal-oxide semiconductor electronics. APPLIED PHYSICS LETTERS, 90(1).
| Titolo: | Near-infrared camera in polycrystalline germanium integrated on complementary-metal-oxide semiconductor electronics | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2007 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Colace L, Masini G, Cozza S, Assanto G, DeNotaristefani F, & Cencelli V (2007). Near-infrared camera in polycrystalline germanium integrated on complementary-metal-oxide semiconductor electronics. APPLIED PHYSICS LETTERS, 90(1). | |
| Abstract: | The authors demonstrate a two-dimensional array of Si-integrated photodetectors equipped with readout electronics and operating in the near infrared. The chip is realized in polycrystalline Ge on a silicon complementary metal oxide semiconductor circuitry and includes 512 pixels, 64 analog to digital converters, dark current cancellation, and test/calibration facilities. They describe its design, fabrication, characterization, and operation as a near-infrared image sensor. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/133424 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/133424
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