Electrical activation of the Fe2+/3+ trap in Fe-implanted InP

Fraboni, B.; Gasparotto, A.; Cesca, T.; Verna, A.; Impellizzeri, G.; Priolo, F.

doi:10.1063/1.2150281

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We have studied the electrical activation of the Fe2+/3+ trap in Fe-implanted InP by means of capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy analyses. Five deep traps have been identified and we have characterized the concentration and depth distribution of the Fe2+/3+ deep trap, located at E-C-0.66 eV. The InP substrate background doping, i.e., the Fermi-level position, plays a crucial role in the Fe activation process by setting an upper limit to the amount of Fe centers electrically activated as deep acceptor traps.

Titolo:	Electrical activation of the Fe2+/3+ trap in Fe-implanted InP
Autori:	B. FRABONI A. GASPAROTTO T. CESCA A. VERNA G. IMPELLIZZERI F. PRIOLO mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2005
Rivista:	APPLIED PHYSICS LETTERS
Citazione:	Electrical activation of the Fe2+/3+ trap in Fe-implanted InP / B. FRABONI; A. GASPAROTTO; T. CESCA; A. VERNA; G. IMPELLIZZERI; F. PRIOLO. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 87(2005), pp. 252113-1-252113-3.
Abstract:	We have studied the electrical activation of the Fe2+/3+ trap in Fe-implanted InP by means of capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy analyses. Five deep traps have been identified and we have characterized the concentration and depth distribution of the Fe2+/3+ deep trap, located at E-C-0.66 eV. The InP substrate background doping, i.e., the Fermi-level position, plays a crucial role in the Fe activation process by setting an upper limit to the amount of Fe centers electrically activated as deep acceptor traps.
Handle:	http://hdl.handle.net/11590/134317
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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