Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe have investigated the integration of Ge p-i-n and n-i-p heterojunction photodiodes on Si. Recognizing the crucial role of interface defects at the Ge/Si interface on the performance of photodetectors, we have designed and fabricated high-performance n-i-p Ge photodiodes on p(+)-Si substrates. These photodiodes exhibit short-circuit responsivities of 0.3 and 0.2 A/W at 1.3 and 1.55 mum, respectively, reverse dark currents of 20 mA/cm(2) and response times of 800 ps.
Masini G, Colace L, Assanto G, Luan HC, & Kimerling LC (2001). High-performance p-i-n Ge on Si photodetectors for the near infrared: From model to demonstration. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 48(6), 1092-1096.
| Titolo: | High-performance p-i-n Ge on Si photodetectors for the near infrared: From model to demonstration | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2001 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Masini G, Colace L, Assanto G, Luan HC, & Kimerling LC (2001). High-performance p-i-n Ge on Si photodetectors for the near infrared: From model to demonstration. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 48(6), 1092-1096. | |
| Abstract: | We have investigated the integration of Ge p-i-n and n-i-p heterojunction photodiodes on Si. Recognizing the crucial role of interface defects at the Ge/Si interface on the performance of photodetectors, we have designed and fabricated high-performance n-i-p Ge photodiodes on p(+)-Si substrates. These photodiodes exhibit short-circuit responsivities of 0.3 and 0.2 A/W at 1.3 and 1.55 mum, respectively, reverse dark currents of 20 mA/cm(2) and response times of 800 ps. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/134340 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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