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We demonstrate Ge/Si heterojunction photodetectors based on high quality epitaxial germanium grown on silicon. Germanium deposited by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition (UHV-CVD) undergoes thermal annealing cycles which reduce the number of dislocations and, thus, improve the overall quality. The photodetectors exhibit record responsivity of 0.55 A/W and a sub-ns photoresponse at 1.3 mum. We describe the fabrication process as well as a complete optoelectronic characterization of the devices. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Luan, H.c., Wada, K., Kimerling, L.c., Masini, G., Colace, L., Assanto, G. (2001). High efficiency photodetectors based on high quality epitaxial germanium grown on silicon substrates. OPTICAL MATERIALS, 17(1-2), 71-73 [10.1016/S0925-3467(01)00021-0].
High efficiency photodetectors based on high quality epitaxial germanium grown on silicon substrates
We demonstrate Ge/Si heterojunction photodetectors based on high quality epitaxial germanium grown on silicon. Germanium deposited by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition (UHV-CVD) undergoes thermal annealing cycles which reduce the number of dislocations and, thus, improve the overall quality. The photodetectors exhibit record responsivity of 0.55 A/W and a sub-ns photoresponse at 1.3 mum. We describe the fabrication process as well as a complete optoelectronic characterization of the devices. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Luan, H.c., Wada, K., Kimerling, L.c., Masini, G., Colace, L., Assanto, G. (2001). High efficiency photodetectors based on high quality epitaxial germanium grown on silicon substrates. OPTICAL MATERIALS, 17(1-2), 71-73 [10.1016/S0925-3467(01)00021-0].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/134341
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
