Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishIn this letter we report on a metal-semiconductor-metal photodetector based on thick relaxed Ge layers, epitaxially grown on silicon after insertion of a low-temperature-grown Ge buffer layer. The detector shows a good responsivity at normal incidence at both 1.3 and 1.55 mu m, with a maximum responsivity of 0.24 A/W at 1.3 mu m under a 1 V bias. A response time of about 2 ns has been measured. (C) 1998 American Institute of Physics.
Colace L, Masini G, Galluzzi F, Assanto G, Capellini G, Di Gaspare L, et al. (1998). Metal-semiconductor-metal near-infrared light detector based on epitaxial Ge/Si. APPLIED PHYSICS LETTERS, 72(24), 3175-3177 [10.1063/1.121584].
| Titolo: | Metal-semiconductor-metal near-infrared light detector based on epitaxial Ge/Si | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1998 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Colace L, Masini G, Galluzzi F, Assanto G, Capellini G, Di Gaspare L, et al. (1998). Metal-semiconductor-metal near-infrared light detector based on epitaxial Ge/Si. APPLIED PHYSICS LETTERS, 72(24), 3175-3177 [10.1063/1.121584]. | |
| Abstract: | In this letter we report on a metal-semiconductor-metal photodetector based on thick relaxed Ge layers, epitaxially grown on silicon after insertion of a low-temperature-grown Ge buffer layer. The detector shows a good responsivity at normal incidence at both 1.3 and 1.55 mu m, with a maximum responsivity of 0.24 A/W at 1.3 mu m under a 1 V bias. A response time of about 2 ns has been measured. (C) 1998 American Institute of Physics. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/134343 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/134343
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