Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishGermanium is considered the most suitable semiconductor for monolithic integration of near-infrared detectors on silicon photonic chips. Here we report on Ge-on-Si near-infrared photodetectors fabricated by thermal evaporation, demonstrating the use of phosphorus spin-on-dopant to compensate the acceptor states introduced by dislocations. The detectors exhibit 1.55 mu m responsivities as high as 0.1 A/W, more than two orders of magnitude larger than in undoped devices and comparing well with state-of-the-art p-i-n photodiodes. This approach enables simple and low-cost monolithic integration of near-infrared sensors with silicon photonics. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4747213]
Sorianello, V., De Iacovo, A., Colace, L., Fabbri, A., Tortora, L., Buffagni, E., et al. (2012). High responsivity near-infrared photodetectors in evaporated Ge-on-Si. APPLIED PHYSICS LETTERS, 101(8), 081101-081104.
| Titolo: | High responsivity near-infrared photodetectors in evaporated Ge-on-Si |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2012 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Sorianello, V., De Iacovo, A., Colace, L., Fabbri, A., Tortora, L., Buffagni, E., et al. (2012). High responsivity near-infrared photodetectors in evaporated Ge-on-Si. APPLIED PHYSICS LETTERS, 101(8), 081101-081104. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/141744 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11590/141744
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