Visible and infrared photoluminescence of low-energy electron irradiated LiF:KCl thin films

Cremona, M; Grilli, A; Montereali, Rm; Passacantando, M; Raco, A; Somma, Fabrizia

doi:10.1016/S0022-2313(96)00197-4

Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo

La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.

In this work we report the visible and infrared emissions of the color centers created in bilayer LiF:KCl thin films, obtained by pumping them with appropriate Ar+ and Ti:Sapphire laser lines, The large concentration of color centers induced by low-energy electron irradiation in a thin dielectric layer of controlled depth allows to investigate the spectroscopic properties of point defects which cannot be found in mixed crystals.

Cremona M, Grilli A, Montereali RM, Passacantando M, Raco A, & Somma Anfosso F (1997). Visible and infrared photoluminescence of low-energy electron irradiated LiF:KCl thin films. JOURNAL OF LUMINESCENCE, 72-4, 652-654.

Titolo:	Visible and infrared photoluminescence of low-energy electron irradiated LiF:KCl thin films
Autori:	Cremona M Grilli A Montereali RM Passacantando M Raco A SOMMA, Fabrizia mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1997
Rivista:	JOURNAL OF LUMINESCENCE
Citazione:	Cremona M, Grilli A, Montereali RM, Passacantando M, Raco A, & Somma Anfosso F (1997). Visible and infrared photoluminescence of low-energy electron irradiated LiF:KCl thin films. JOURNAL OF LUMINESCENCE, 72-4, 652-654.
Abstract:	In this work we report the visible and infrared emissions of the color centers created in bilayer LiF:KCl thin films, obtained by pumping them with appropriate Ar+ and Ti:Sapphire laser lines, The large concentration of color centers induced by low-energy electron irradiation in a thin dielectric layer of controlled depth allows to investigate the spectroscopic properties of point defects which cannot be found in mixed crystals.
Handle:	http://hdl.handle.net/11590/143634
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/11590/143634

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