Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe demonstrate near-infrared Ge-on-Si photodiodes designed to minimize the dark current density and fabricated by chemical vapor deposition. The p-i-n detectors exhibit record low dark currents of 7 nA at 1-V reverse bias with responsivities close to the theoretical maximum. An excellent performance is ascertained,even for very low reverse voltages.
Colace L, Ferrara P, Assanto G, Fulgoni D, & Nash L (2007). Low dark-current germanium-on-silicon near-infrared detectors. IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 19(21-24), 1813-1815 [10.1109/LPT.2007.907578].
| Titolo: | Low dark-current germanium-on-silicon near-infrared detectors | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2007 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Colace L, Ferrara P, Assanto G, Fulgoni D, & Nash L (2007). Low dark-current germanium-on-silicon near-infrared detectors. IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 19(21-24), 1813-1815 [10.1109/LPT.2007.907578]. | |
| Abstract: | We demonstrate near-infrared Ge-on-Si photodiodes designed to minimize the dark current density and fabricated by chemical vapor deposition. The p-i-n detectors exhibit record low dark currents of 7 nA at 1-V reverse bias with responsivities close to the theoretical maximum. An excellent performance is ascertained,even for very low reverse voltages. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/149073 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/149073
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