Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe report on the fabrication and characterization of Schottky barrier transistors on polycrystalline silicon. The transistors were realized exploiting Cr-Si and Ti-Si Schottky barrier with a low thermal budget process, compatible with polymeric, ultraflexible substrates. We obtained devices with threshold voltages as low as 1.7 V (for n channel) and 4 V (for p channel) with channel lengths ranging from 2 to 40 μm. Resulting on/off ratios are as high as 5 · 103. The devices showed threshold voltages and subthreshold slopes comparable with already published N- and P-MOS devices realized with the same process on polyimide substrates thus representing a cheaper and scalable alternative to ultraflexible transistors with doped source and drain.
De Iacovo, A., Ferrone, A., Colace, L., Minotti, A., Maiolo, L., & Pecora, A. (2016). Schottky Barrier Thin Film Transistor (SB-TFT) on low-temperature polycrystalline silicon. SOLID-STATE ELECTRONICS, 126, 1-4 [10.1016/j.sse.2016.10.001].
| Titolo: | Schottky Barrier Thin Film Transistor (SB-TFT) on low-temperature polycrystalline silicon | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2016 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | De Iacovo, A., Ferrone, A., Colace, L., Minotti, A., Maiolo, L., & Pecora, A. (2016). Schottky Barrier Thin Film Transistor (SB-TFT) on low-temperature polycrystalline silicon. SOLID-STATE ELECTRONICS, 126, 1-4 [10.1016/j.sse.2016.10.001]. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/312628 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/312628
Copyright © 2021