Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe have followed the evolution of strained Ge/Si(111) Stranski-Krastanov islands by atomic force and scanning tunneling microscopies. Following the morphological evolution during the annealing of the samples we were able to recognize the key features of the relaxation process in these structures. The introduction of edge misfit dislocations after a critical thickness, and the inhomogeneous strain field inside the islands, lead to an intra-island ripening mechanism. We show that this mechanism changes the island shape from truncated tetrahedron to "atoll-like".
| Titolo: | Evolution of strained Ge islands grown on Si(111): a scanning probe microscopy study |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 1999 |
| Rivista: | |
| Abstract: | We have followed the evolution of strained Ge/Si(111) Stranski-Krastanov islands by atomic force and scanning tunneling microscopies. Following the morphological evolution during the annealing of the samples we were able to recognize the key features of the relaxation process in these structures. The introduction of edge misfit dislocations after a critical thickness, and the inhomogeneous strain field inside the islands, lead to an intra-island ripening mechanism. We show that this mechanism changes the island shape from truncated tetrahedron to "atoll-like". |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/114862 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/114862
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