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We have followed the evolution of strained Ge/Si(111) Stranski-Krastanov islands by atomic force and scanning tunneling microscopies. Following the morphological evolution during the annealing of the samples we were able to recognize the key features of the relaxation process in these structures. The introduction of edge misfit dislocations after a critical thickness, and the inhomogeneous strain field inside the islands, lead to an intra-island ripening mechanism. We show that this mechanism changes the island shape from truncated tetrahedron to "atoll-like".
Capellini, G., Motta, N., Sgarlata, A., Calarco, R. (1999). Evolution of strained Ge islands grown on Si(111): a scanning probe microscopy study. SOLID STATE COMMUNICATIONS, 112, 145-149 [10.1016/S0038-1098(99)00316-6].
Evolution of strained Ge islands grown on Si(111): a scanning probe microscopy study
We have followed the evolution of strained Ge/Si(111) Stranski-Krastanov islands by atomic force and scanning tunneling microscopies. Following the morphological evolution during the annealing of the samples we were able to recognize the key features of the relaxation process in these structures. The introduction of edge misfit dislocations after a critical thickness, and the inhomogeneous strain field inside the islands, lead to an intra-island ripening mechanism. We show that this mechanism changes the island shape from truncated tetrahedron to "atoll-like".
Capellini, G., Motta, N., Sgarlata, A., Calarco, R. (1999). Evolution of strained Ge islands grown on Si(111): a scanning probe microscopy study. SOLID STATE COMMUNICATIONS, 112, 145-149 [10.1016/S0038-1098(99)00316-6].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/114862
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
