A., N., L., D.G., G., S., G., M., Evangelisti, F., E. GIOVINE AND R., L. (2003). Single Electron Transistor based on modulation-doped SiGe heterostructures. APPLIED PHYSICS LETTERS, 83, 302-304.

Single Electron Transistor based on modulation-doped SiGe heterostructures

EVANGELISTI, Florestano;
2003-01-01

2003
A., N., L., D.G., G., S., G., M., Evangelisti, F., E. GIOVINE AND R., L. (2003). Single Electron Transistor based on modulation-doped SiGe heterostructures. APPLIED PHYSICS LETTERS, 83, 302-304.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/116775
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact