Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishElectrical properties of high-mobility two-dimensional electron gases in Si/SiGe modulation-doped heterostructures grown on silicon-on-insulator substrates / L. DI GASPARE; G. SCAPPUCCI; E. PALANGE; K. ALFARAMAWI; EVANGELISTI F; G. BARUCCA; AND G. MAJNI. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - 89(2002), pp. 346-349.
| Titolo: | Electrical properties of high-mobility two-dimensional electron gases in Si/SiGe modulation-doped heterostructures grown on silicon-on-insulator substrates |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Electrical properties of high-mobility two-dimensional electron gases in Si/SiGe modulation-doped heterostructures grown on silicon-on-insulator substrates / L. DI GASPARE; G. SCAPPUCCI; E. PALANGE; K. ALFARAMAWI; EVANGELISTI F; G. BARUCCA; AND G. MAJNI. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - 89(2002), pp. 346-349. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/134424 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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