Low-energy yield spectroscopy determination of band offsets: Application to the epitaxial Ge/Si(100) heterostructure

DiGaspare, L; Capellini, G; Chudoba, C; Sebastiani, M; Evangelisti, Florestano

doi:10.1016/S0169-4332(96)00208-5

Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo

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DiGaspare L, Capellini G, Chudoba C, Sebastiani M, & Evangelisti F (1996). Low-energy yield spectroscopy determination of band offsets: Application to the epitaxial Ge/Si(100) heterostructure. APPLIED SURFACE SCIENCE, 104, 595-600 [10.1016/S0169-4332(96)00208-5].

Titolo:	Low-energy yield spectroscopy determination of band offsets: Application to the epitaxial Ge/Si(100) heterostructure
Autori:	DiGaspare L Capellini G Chudoba C Sebastiani M EVANGELISTI, Florestano mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1996
Rivista:	APPLIED SURFACE SCIENCE
Citazione:	DiGaspare L, Capellini G, Chudoba C, Sebastiani M, & Evangelisti F (1996). Low-energy yield spectroscopy determination of band offsets: Application to the epitaxial Ge/Si(100) heterostructure. APPLIED SURFACE SCIENCE, 104, 595-600 [10.1016/S0169-4332(96)00208-5].
Handle:	http://hdl.handle.net/11590/144091
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/11590/144091

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