G., V., L., P., M., R., G., Z., C., P., DI GASPARE, L., et al. (1996). Solid-phase epitaxi induced by low-power pulsed-laser annealing of III-V compound semiconductors. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER, 53, 4757.

Solid-phase epitaxi induced by low-power pulsed-laser annealing of III-V compound semiconductors

DI GASPARE, LUCIANA;
1996-01-01

1996
G., V., L., P., M., R., G., Z., C., P., DI GASPARE, L., et al. (1996). Solid-phase epitaxi induced by low-power pulsed-laser annealing of III-V compound semiconductors. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER, 53, 4757.
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