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n this article we discuss the use of spectroscopic ellipsometry for an in situ and real time probe of three-dimensional self-organized Ge island growth on Si (100) surfaces. We will show that atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy can be combined with spectroscopic ellipsometry to give information on the size and shape evolution of the Ge islands as well as on the amount of Ge deposited on the Si surface.
Palange, E., Ragni, L., Di Gaspare, L., Capellini, G., Evangelisti, F. (1998). Spectroscopic ellipsometric study of strain relaxation and size evolution of Ge islands grown on Si(100). JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 83, 5840-5844 [10.1063/1.367441].
Spectroscopic ellipsometric study of strain relaxation and size evolution of Ge islands grown on Si(100)
n this article we discuss the use of spectroscopic ellipsometry for an in situ and real time probe of three-dimensional self-organized Ge island growth on Si (100) surfaces. We will show that atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy can be combined with spectroscopic ellipsometry to give information on the size and shape evolution of the Ge islands as well as on the amount of Ge deposited on the Si surface.
Palange, E., Ragni, L., Di Gaspare, L., Capellini, G., Evangelisti, F. (1998). Spectroscopic ellipsometric study of strain relaxation and size evolution of Ge islands grown on Si(100). JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 83, 5840-5844 [10.1063/1.367441].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/153874
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
