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We fabricated strongly confined Schottky-gated quantum point contacts by etching Si/SiGe heterostructures and observed intriguing conductance quantization in units of approximately 1e(2)/h. Nonlinear conductance measurements were performed depleting the quantum point contacts at fixed mode-energy separation. We report evidence of the formation of a half 1e(2)/h plateau, supporting the speculation that adiabatic transmission occurs through one-dimensional modes with complete removal of valley and spin degeneracies.
Scappucci, G., DI GASPARE, L., Giovine, E., Notargiacomo, A., Leoni, R., Evangelisti, F. (2006). Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 74(3) [10.1103/PhysRevB.74.035321].
Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts
Scappucci G;DI GASPARE, LUCIANA;Giovine E;Notargiacomo A;Leoni R;Evangelisti F.
2006-01-01
Abstract
We fabricated strongly confined Schottky-gated quantum point contacts by etching Si/SiGe heterostructures and observed intriguing conductance quantization in units of approximately 1e(2)/h. Nonlinear conductance measurements were performed depleting the quantum point contacts at fixed mode-energy separation. We report evidence of the formation of a half 1e(2)/h plateau, supporting the speculation that adiabatic transmission occurs through one-dimensional modes with complete removal of valley and spin degeneracies.
Scappucci, G., DI GASPARE, L., Giovine, E., Notargiacomo, A., Leoni, R., Evangelisti, F. (2006). Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts. PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS, 74(3) [10.1103/PhysRevB.74.035321].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/155522
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
