L. DI GASPARE E., P., Evangelisti, F. (2000). Strain relaxation by pit formation in epitaxial SiGe alloy films grown on Si(100). JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 88, 120.

Strain relaxation by pit formation in epitaxial SiGe alloy films grown on Si(100)

EVANGELISTI, Florestano
2000-01-01

2000
L. DI GASPARE E., P., Evangelisti, F. (2000). Strain relaxation by pit formation in epitaxial SiGe alloy films grown on Si(100). JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 88, 120.
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