L. DI GASPARE E., P., Evangelisti, F. (2000). Strain relaxation by pit formation in epitaxial SiGe alloy films grown on Si(100). JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 88, 120.
Strain relaxation by pit formation in epitaxial SiGe alloy films grown on Si(100)
EVANGELISTI, Florestano
2000-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.