G., C., M., D.S., Y., B., M., P., Evangelisti, F., G., N., et al. (2010). Strain relaxation in high Ge content SiGe layers deposited on Si. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 107, 063504.

Strain relaxation in high Ge content SiGe layers deposited on Si

EVANGELISTI, Florestano;
2010-01-01

2010
G., C., M., D.S., Y., B., M., P., Evangelisti, F., G., N., et al. (2010). Strain relaxation in high Ge content SiGe layers deposited on Si. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 107, 063504.
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