Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishOn the bases of the RF characteristics and measured small-signal parameters, an equivalent circuit model is formulated and characterized for Metal-Semiconductor Field Effect Transistors based on H-terminated polycrystalline diamond. Starting from on-wafer measurements, a bias dependent transistor behavior representation has been fully determinated. Such a equivalent circuit model is a first important step in order to realize an RF IC based on diamond.
Pasciuto B., Ciccognani, W., Limiti, E., Calvani, et al. (2009). Modeling of Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor on H-terminated polycrystalline diamond. In ULIS 2009: 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION OF SILICON (pp.261-264).
| Titolo: | Modeling of Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor on H-terminated polycrystalline diamond |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2009 |
| Citazione: | Pasciuto B., Ciccognani, W., Limiti, E., Calvani, et al. (2009). Modeling of Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor on H-terminated polycrystalline diamond. In ULIS 2009: 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION OF SILICON (pp.261-264). |
| Abstract: | On the bases of the RF characteristics and measured small-signal parameters, an equivalent circuit model is formulated and characterized for Metal-Semiconductor Field Effect Transistors based on H-terminated polycrystalline diamond. Starting from on-wafer measurements, a bias dependent transistor behavior representation has been fully determinated. Such a equivalent circuit model is a first important step in order to realize an RF IC based on diamond. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/174477 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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