Tomozeiu, N., DE SETA, M. (2000). Some properties of SiC layers obtained from C60 precursors. In Proc. of 2000 International Semiconductor Conference, 23rd Sinaia (Romania) 10 Oct 2000-14 Oct 2000 [10.1109/SMICND.2000.890217].

Some properties of SiC layers obtained from C60 precursors

DE SETA, Monica
2000-01-01

2000
0-7803-5885-6
Tomozeiu, N., DE SETA, M. (2000). Some properties of SiC layers obtained from C60 precursors. In Proc. of 2000 International Semiconductor Conference, 23rd Sinaia (Romania) 10 Oct 2000-14 Oct 2000 [10.1109/SMICND.2000.890217].
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/175281
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 0
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact