Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishThe force constants related to the bond stretching and angular variation of boron nitride, silicon carbide, aluminium nitride and gallium nitride nanosheets are directly evaluated from ab-initio reference solutions of the Young’s modulus and the Poisson’s ratio. To this end, the analytical expressions of the elastic constants of a generic monolayer hexagonal diatomic sheet are derived, starting from its sticks-and-springs molecular mechanics model, through proper tools of the homogenization of peri- odic discrete media. Num
Genoese, A., Genoese, A., Rizzi, N.L., & Salerno, G. (2018). Force constants of BN, SiC, AlN and GaN sheets through discrete homogenization. MECCANICA, 53(3), 593-611 [10.1007/s11012-017-0686-1].
| Titolo: | Force constants of BN, SiC, AlN and GaN sheets through discrete homogenization | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2018 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Genoese, A., Genoese, A., Rizzi, N.L., & Salerno, G. (2018). Force constants of BN, SiC, AlN and GaN sheets through discrete homogenization. MECCANICA, 53(3), 593-611 [10.1007/s11012-017-0686-1]. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/316494 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/316494
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