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We report on the state of the art of near infrared photodetectors based on germanium on silicon. After a brief review on material and devices, we describe our approach to the fabrication of fast Ge/Si p-i-n detectors based on a simple process with reduced thermal budget for compatibility with standard silicon technology. The diodes, fabricated by chemical vapor deposition at 600°C, exhibit responsivities of 0.4 and 0.2A/W at 1.3μm and 1.55μm, respectively, and operation at 10Gbit/s. copyright The Electrochemical Society.
Colace, L., Masini, G., Assanto, G., Luan, H.C., Kimerling, L.C. (2006). Fast Ge-on-Si photodetectors for the near infrared. In ECS Transactions (pp.85-97) [10.1149/1.2355797].
Fast Ge-on-Si photodetectors for the near infrared
We report on the state of the art of near infrared photodetectors based on germanium on silicon. After a brief review on material and devices, we describe our approach to the fabrication of fast Ge/Si p-i-n detectors based on a simple process with reduced thermal budget for compatibility with standard silicon technology. The diodes, fabricated by chemical vapor deposition at 600°C, exhibit responsivities of 0.4 and 0.2A/W at 1.3μm and 1.55μm, respectively, and operation at 10Gbit/s. copyright The Electrochemical Society.
Colace, L., Masini, G., Assanto, G., Luan, H.C., Kimerling, L.C. (2006). Fast Ge-on-Si photodetectors for the near infrared. In ECS Transactions (pp.85-97) [10.1149/1.2355797].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/331860
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
