Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe report on the state of the art of near infrared photodetectors based on germanium on silicon. After a brief review on material and devices, we describe our approach to the fabrication of fast Ge/Si p-i-n detectors based on a simple process with reduced thermal budget for compatibility with standard silicon technology. The diodes, fabricated by chemical vapor deposition at 600°C, exhibit responsivities of 0.4 and 0.2A/W at 1.3μm and 1.55μm, respectively, and operation at 10Gbit/s. copyright The Electrochemical Society.
Colace, L., Masini, G., Assanto, G., Luan, H.C., & Kimerling, L.C. (2006). Fast Ge-on-Si photodetectors for the near infrared. In ECS Transactions (pp.85-97).
| Titolo: | Fast Ge-on-Si photodetectors for the near infrared | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2006 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Colace, L., Masini, G., Assanto, G., Luan, H.C., & Kimerling, L.C. (2006). Fast Ge-on-Si photodetectors for the near infrared. In ECS Transactions (pp.85-97). | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/331860 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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