Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe show that the direct epitaxial growth of Ge on Si is a viable technology for the integration of near-infrared photodetectors on Si for Si microphotonics. This conclusion is based on a study of the electronic properties of threading-dislocations in p-n junction and an experimental demonstration of the performance of Ge p-i-n photodiode made from Ge grown directly on Si. At 1.3 μm, we measured a responsivity of 550 mA/W. With the addition of SiO2 anti-reflection coating, we measured a maximum external responsivity of 770 mA/W.
Luan, H., Giovane, L.M., Colace, L., Masini, G., Assanto, G., Chen, K.M., et al. (2001). Germanium photodetectors for silicon microphotonics. In Materials Research Society Symposium - Proceedings (pp.E561-E566).
| Titolo: | Germanium photodetectors for silicon microphotonics | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2001 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Luan, H., Giovane, L.M., Colace, L., Masini, G., Assanto, G., Chen, K.M., et al. (2001). Germanium photodetectors for silicon microphotonics. In Materials Research Society Symposium - Proceedings (pp.E561-E566). | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/331861 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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