Formation of extended thermal etch pits on annealed Ge wafers

Persichetti, L.; Fanfoni, M.; De Seta, M.; Di Gaspare, L.; Ottaviano, L.; Goletti, C.; Sgarlata, A.

doi:10.1016/j.apsusc.2018.08.075

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Persichetti, L., Fanfoni, M., De Seta, M., Di Gaspare, L., Ottaviano, L., Goletti, C., et al. (2018). Formation of extended thermal etch pits on annealed Ge wafers. APPLIED SURFACE SCIENCE, 462, 86-94 [10.1016/j.apsusc.2018.08.075].

Titolo:	Formation of extended thermal etch pits on annealed Ge wafers
Autori:	PERSICHETTI, LUCA (Corresponding) Fanfoni, M. DE SETA, Monica DI GASPARE, LUCIANA Ottaviano, L. Goletti, C. Sgarlata, A. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2018
Rivista:	APPLIED SURFACE SCIENCE
Citazione:	Persichetti, L., Fanfoni, M., De Seta, M., Di Gaspare, L., Ottaviano, L., Goletti, C., et al. (2018). Formation of extended thermal etch pits on annealed Ge wafers. APPLIED SURFACE SCIENCE, 462, 86-94 [10.1016/j.apsusc.2018.08.075].
Handle:	http://hdl.handle.net/11590/338015
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/11590/338015

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