Wilflingseder, C., Aberl, J., Prado Navarrete, E., Hesser, G., Groiss, H., Liedke, M.O., et al. (2024). Ge Epitaxy at Ultralow Growth Temperatures Enabled by a Pristine Growth Environment. ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS [10.1021/acsaelm.4c01678].

Ge Epitaxy at Ultralow Growth Temperatures Enabled by a Pristine Growth Environment

Capellini, Giovanni
Writing – Original Draft Preparation
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2024-01-01

2024
Wilflingseder, C., Aberl, J., Prado Navarrete, E., Hesser, G., Groiss, H., Liedke, M.O., et al. (2024). Ge Epitaxy at Ultralow Growth Temperatures Enabled by a Pristine Growth Environment. ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS [10.1021/acsaelm.4c01678].
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