MOTTA, NUNZIO

MOTTA, NUNZIO  

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Beneficial defects: Exploiting the intrinsic polishing-induced wafer roughness for the catalyst-free growth of Ge in-plane nanowires 1-gen-2014 Persichetti, L.; Sgarlata, A.; Mori, Sara; Notarianni, M.; Cherubini, V.; Fanfoni, M.; Motta, N.; Balzarotti, A.
Driving Ge island ordering on nanostructured Si surfaces 1-gen-2011 Sgarlata, A.; Persichetti, L.; Capasso, A.; Fanfoni, M.; Motta, N.; Balzarotti, A.
Fabrication of SiGe rings and holes on Si(0 0 1) by flash annealing 1-gen-2013 Persichetti, L.; Capasso, A.; Sgarlata, A.; Quatela, A.; Kaciulis, S.; Mezzi, A.; Notarianni, M.; Motta, Nunzio; Fanfoni, M.; Balzarotti, A.
Ordering of Ge islands on Si(001) substrates patterned by nanoindentation 1-gen-2011 Persichetti, L.; Capasso, A.; Ruffell, S.; Sgarlata, A.; Fanfoni, M.; Motta, N.; Balzarotti, A.
Self-assembly of Ge quantum dots on Silicon: An example of controlled nanomanufacturing 1-gen-2009 Bernardi, M.; Sgarlata, A.; Fanfoni, M.; Persichetti, L.; Motta, N.; Balzarotti, A.