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We consider a device concept for edge-emitting lasers based on strained germanium (Ge) microstrips. The special SiN stressor design induces an inhomogeneous (tensile) strain distribution and requires lateral current injection. Microscopic calculations of the material gain for strained Ge enter our two-dimensional simulation of the carrier transport and of the optical field within a cross section of the device orthogonal to the optical cavity. We study the optoelectronic properties of the device concept for two different carrier injection schemes.
Peschka, D., Thomas, M., Glitzky, A., Nürnberg, R., Gärtner, K., Virgilio, M., et al. (2015). On device concepts for CMOS-compatible edge-emitters based on strained germanium. In Proceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD (pp.129-130). IEEE Computer Society [10.1109/NUSOD.2015.7292856].
On device concepts for CMOS-compatible edge-emitters based on strained germanium
We consider a device concept for edge-emitting lasers based on strained germanium (Ge) microstrips. The special SiN stressor design induces an inhomogeneous (tensile) strain distribution and requires lateral current injection. Microscopic calculations of the material gain for strained Ge enter our two-dimensional simulation of the carrier transport and of the optical field within a cross section of the device orthogonal to the optical cavity. We study the optoelectronic properties of the device concept for two different carrier injection schemes.
Peschka, D., Thomas, M., Glitzky, A., Nürnberg, R., Gärtner, K., Virgilio, M., et al. (2015). On device concepts for CMOS-compatible edge-emitters based on strained germanium. In Proceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD (pp.129-130). IEEE Computer Society [10.1109/NUSOD.2015.7292856].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/330663
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
