Benvenuti nell'Anagrafe della Ricerca d'Ateneo
La valutazione delle attività di ricerca che si svolgono nelle università ha assunto un'importanza rilevante sia per l'intero sistema universitario sia all'interno di ogni singolo ateneo. Roma Tre si è quindi dotata di idonei strumenti informativi in grado di supportare al meglio le azioni di monitoraggio e di valutazione delle attività di ricerca svolte nei propri dipartimentied ha realizzato una Anagrafe della Ricerca di Ateneo.
EnglishWe demonstrate epitaxial growth of direct bandgap group IV GeSn/SiGeSn double heterostructures and multi quantum wells. While both designs offer high structural quality and strong light emission, multi quantum wells benefit from a smaller number of defects at the active region.
Von Den Driesch, N., Stange, D., Rainko, D., Zaumseil, P., Capellini, G., Hartmann, J., et al. (2017). Epitaxy of direct bandgap group IV heterostructure lasers. In 14th International Conference on Group IV Photonics, GFP 2017 (pp.175-176). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/GROUP4.2017.8082253].
| Titolo: | Epitaxy of direct bandgap group IV heterostructure lasers | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2017 | |
| Citazione: | Von Den Driesch, N., Stange, D., Rainko, D., Zaumseil, P., Capellini, G., Hartmann, J., et al. (2017). Epitaxy of direct bandgap group IV heterostructure lasers. In 14th International Conference on Group IV Photonics, GFP 2017 (pp.175-176). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/GROUP4.2017.8082253]. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11590/330664 | |
| ISBN: | 9781509065684 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11590/330664
Copyright © 2022