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We present an edge-light emitting diode based on highly doped Ge/Si μ-strips starined by a SiN top stressor. The device, manufactured in a BiCMOS pilot line, shows RT NIR electroluminescence in a spectral region extending from the C- to the U-telecom bands and beyond.
Capellini, G., Lischke, S., Nien, L.-., Kreissl, J., Yamamoto, Y., Virgilio, M., et al. (2017). A NIR-LED based on tensile strained, heavily doped Ge/Si μ-strips fabricated in a BiCMOS pilot line. In 14th International Conference on Group IV Photonics, GFP 2017 (pp.43-44). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/GROUP4.2017.8082187].
A NIR-LED based on tensile strained, heavily doped Ge/Si μ-strips fabricated in a BiCMOS pilot line
Capellini, G.;Lischke, S.;Nien, L. -W.;Kreissl, J.;Yamamoto, Y.;Virgilio, M.;Schaffner, J.;Klesse, W. M.;Wolansky, D.;Voigt, K.;Zimmermann, L.;Mai, A.;Tillack, B.;Schroeder, T.
2017-01-01
Abstract
We present an edge-light emitting diode based on highly doped Ge/Si μ-strips starined by a SiN top stressor. The device, manufactured in a BiCMOS pilot line, shows RT NIR electroluminescence in a spectral region extending from the C- to the U-telecom bands and beyond.
Capellini, G., Lischke, S., Nien, L.-., Kreissl, J., Yamamoto, Y., Virgilio, M., et al. (2017). A NIR-LED based on tensile strained, heavily doped Ge/Si μ-strips fabricated in a BiCMOS pilot line. In 14th International Conference on Group IV Photonics, GFP 2017 (pp.43-44). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. [10.1109/GROUP4.2017.8082187].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11590/330665
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
