Becker, L., Storck, P., Schulz, T., Zoellner, M.H., Di Gaspare, L., Rovaris, F., et al. (2020). Controlling the relaxation mechanism of low strain Si1−xGex/Si(001) layers and reducing the threading dislocation density by providing a preexisting dislocation source. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 128(21), 215305 [10.1063/5.0032454].

Controlling the relaxation mechanism of low strain Si1−xGex/Si(001) layers and reducing the threading dislocation density by providing a preexisting dislocation source

Di Gaspare, L.
Investigation
;
De Seta, M.
Investigation
;
Capellini, G.
Conceptualization
;
2020-01-01

Becker, L., Storck, P., Schulz, T., Zoellner, M.H., Di Gaspare, L., Rovaris, F., et al. (2020). Controlling the relaxation mechanism of low strain Si1−xGex/Si(001) layers and reducing the threading dislocation density by providing a preexisting dislocation source. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 128(21), 215305 [10.1063/5.0032454].
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