Becker, L., Storck, P., Schulz, T., Zoellner, M.H., Di Gaspare, L., Rovaris, F., et al. (2020). Controlling the relaxation mechanism of low strain Si1−xGex/Si(001) layers and reducing the threading dislocation density by providing a preexisting dislocation source. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 128(21), 215305 [10.1063/5.0032454].
Controlling the relaxation mechanism of low strain Si1−xGex/Si(001) layers and reducing the threading dislocation density by providing a preexisting dislocation source
Di Gaspare, L.Investigation
;De Seta, M.Investigation
;Capellini, G.Conceptualization
;
2020-01-01
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