Mistroni, A., Reichmann, F., Yamamoto, Y., Zöllner, M.H., Capellini, G., Diebel, L., et al. (2024). Low Disorder and High Mobility 2DEG in Si/SiGe Fabricated in 200 mm BiCMOS Pilot line. In PRiME 2024 October 6, 2024 - October 11, 2024 Honolulu, USA (pp.123-131) [10.1149/11402.0123ecst].
Low Disorder and High Mobility 2DEG in Si/SiGe Fabricated in 200 mm BiCMOS Pilot line
Capellini, GiovanniMembro del Collaboration Group
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2024-01-01
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